Заседания Учёного совета
|
11.03.2020 9:30
Научная сессия и заседание Учёного совета
Повестка дня:
1. Р. Ф. Мамин. Отчет о финансово-хозяйственной деятельности института в 2019 г.
2. Разное
|
|
|
04.03.2020 9:30
Научная сессия и заседание Учёного совета
Повестка дня:
1. Д.А.Бизяев, А.А.Бухараев, Н.И.Нургазизов, А.П.Чукланов, С.А.Мигачев «Термоиндуцированный магнитоупругий эффект в планарных микрочастицах CoNi, сформированных на поверхности ниобата лития»
Аннтоация
В настоящей работе методом магнитно-силовой микроскопии впервые продемонстрирована перестройка структуры намагниченности (вплоть до формирования однородной намагниченности) в микрочастицах CoNi при нагреве или охлаждении одноосного кристалла ниобата лития, на поверхности которого они сформированы
2. Разное
|
|
|
26.02.2020 9:30
Научная сессия и заседание Учёного совета
Повестка дня:
1. Шакуров Г.С. (КФТИ, Казань), Гудков В.В., Жевстовских И.В., Сарычев М.Н. (УрФУ. Екатеринбург), Коростелин Ю.В. (ФИАН, Москва). Ян-теллеровские центры Cr2+ в кристалле CdSe.
В кристалле CdSe методом перестраиваемой ЭПР-спектроскопии в диапазоне частот 70-320 GHz изучены примесные ионы Cr2+. Обнаруженные ян-теллеровские тетрагональные искажения ближайшего окружения иона хрома подтверждают результаты недавних ультразвуковых исследований. Получен набор спектроскопических параметров, позволяющий получить согласие расчетных и экспериментальных угловых и частотно-полевых зависимостей спектров ЭПР.
Рецензент: В.К. Воронкова
2. Ю.В. Горюнов. Динамические особенности заполнения донорных уровней в 3D топологическом полуметалле α - Cd3As2 и их влияние на РККИ взаимодействие между магнитными примесями.
Работа посвящена детальному анализу и интерпретации ранее опубликованных результатов эксперимента по слабому легированию 3D топологического Дираковского полуметалла α Cd3As2 магнитными примесями. Предлагается механизм селективного косвенного обменного взаимодействия между магнитными примесями и спиновой диффузии в данной системе. Ранее методом ЭСР было установлено, что размещение примесных ионов европия в α - Cd3As2 происходит в две кристаллографические позиции – позиции замещения ионов кадмия и позиции внедрения; в области высоких температур для обеих позиций наблюдались линейные (псевдо- корринговские) зависимости ширины линии ЭСР и ее положения. Названные кристаллографические позиции в решетке типа флюорита в плане кристаллографической симметрии практически идентичны, но различаются степенью химического сжатия. В настоящей работе рассматривается влияние химического сжатия на образование донорных электронов. В сжатом состоянии двухвалентный ион европия склонен, отдавая третий электрон в зону проводимости, переходить в трехвалентное состояние с меньшим ионным радиусом. Это уменьшает степень химического сжатия и ответные напряжения в кристаллической решетке. Однако, нахождение европия в немагнитном трехвалентном состоянии происходит только небольшую часть времени и приводит к уменьшению эффективного локального магнитного момента на ионе европия. Изменением степени химического сжатия с изменением температуры объясняются температурные зависимости положения и ширины линии ЭСР, наблюдаемые величины g – факторов (g ~ 2.2 и g~ 4.4.), примесных ионов Eu2+; определяются значения g-факторов (g ~ 10-15) электронов проводимости. Предлагается механизм селективного косвенного обменного взаимодействия между магнитными примесями и спиновой диффузии в их подсистемах.
Рецензент: И. Яцык
3. Разное
|
|
|
19.02.2020 9:30
Научная сессия и заседание Учёного совета
Повестка дня:
1. О.А. Туранова, М.Ю. Волков, Е.Н. Фролова, Л. Базан, Г.Г. Гарифзянова, Л.Г. Гафиятуллин, И.В. Овчинников, А.Н. Туранов. Влияние химической структуры экваториального лиганда на спин-кроссовер свойства комплекса Fe(III) с аксиальным лигандом 4-стирилпиридином (по материалам статьи J.Chem.Phys. 152, 014306 (2020)).
Для изучения влияния структуры экваториального лиганда на спиновое состояние иона Fe(III) в комплексах с фотоизомеризуемыми аксиальными лигандами 4-стирилпиридинами и различными тетрадентатными основаниями Шиффа несколько новых комплексов Fe(III) были впервые синтезированы, охарактеризованы и изучены с помощью УФ-, ЯМР и ЭПР-спектроскопии. Общая химическая формула комплексов: [Fe(SB)Sp2] BPh4⋅MeOH, где Sp - транс-4-стирилпиридин, а SB - дианионы оснований Шиффа: salen, acen и bzacen [salen = N, N'-этиленбис(салицилальдимин), acen = N, N'-этиленбис(ацетилацетонилиденимин), a H2bzacen = N, N'- этиленбис(бензоилацетонилиденимин)]. Результаты ЭПР и ЯМР измерений комплексов как в твердом состоянии, так и в растворах показали, что чем больше метильных групп и меньше ароматических колец в экваториальном лиганде, тем более крутой спин-кроссовер переход наблюдается в комплексе. Отмечена зависимость магнитных свойств комплексов от состояния вещества и присутствия растворителя (порошок, жидкие и застеклованные растворы
2. Разное
|
|
|
12.02.2020 9:30
Научная сессия и заседание Учёного совета
Повестка дня:
1. ЭПР-спектроскопия моноизотопных примесных ионов Cr-53 в монокристалле ортосиликата иттрия (Y2SiO5).
Еремина Р.М., Ликеров Р.Ф., Тарасов В.Ф., Шестаков А.В., Яцык И.В. (КФТИ- ОСП ФИЦ КазНЦ РАН) Заварцев Ю.Д., Кутовой С.А.(ИОФ РАН).
Реферат.
Методом электронного парамагнитного резонанса в X-диапазоне частот исследованы спектры электронного парамагнитного резонанса моноизотопных примесных ионов Cr-53 в монокристаллах ортосиликата иттрия (Y2SiO5). Определены направления главных магнитных осей и параметры эффективного спинового гамильтониана, описывающего магнитные характеристики примесных центров хрома, замещающего иттрий в одной из двух возможных структурно неэквивалентных позиций. Показано, что ориентационные зависимости спектров ЭПР хорошо описываются спиновым гамильтонианом второго порядка, соответствующим ромбической симметрии локального кристаллического поля, действующего на примесный ион. При этом предполагалось, что g-тензор и A-тензор, описывающие зеемановскую энергию электронных уровней в магнитном поле и сверхтонкое взаимодействие электронных и ядерных спинов являются изотропными, а вся анизотропия спектров ЭПР обязана анизотропии D-тензора, описывающего тонкую структуру электронных уровней в кристаллическом электрическом поле. Установлена сильная зависимость вероятности запрещенных переходов между сверхтонкими подуровнями электронных уровней от ориентации внешнего магнитного поля. Причем, при некоторых ориентациях вероятность запрещенных переходов втановится сравнимой с вероятностью разрешенных переходов.
Рецензент Ю.И. Таланов
2. Разное
|
|