Научная сессия и заседание Учёного совета


13.04.2022 9:30

Повестка дня:

1. Р.И. Баталов1, Р.М. Баязитов1, Г.А. Новиков1, А.Ф. Зацепин2, Д.А. Зацепин2, Д.В. Бухвалов2, Е.А. Бунтов2. Влияние импульсной ионной обработки на структуру и оптические свойства эпитаксиальных слоёв нитрида галлия (GaN) на подложке сапфира (Al2O3).

1 Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия
2 Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия

Проведена импульсная обработка мощным ионным пучком эпитаксиальных слоёв GaN на подложке сапфира с целью изучения трансформации их структуры и оптических свойств. Применены методы рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, оптической спектроскопии и фотолюминесценции при 300 К. Установлено, что в результате импульсной ионной обработки в твердофазном режиме структура и состав поверхности слоя GaN не меняются, наблюдается снижение пропускания слоя, красный сдвиг края поглощения и значительное снижение интенсивности дефектной фотолюминесценции с максимумом при 560 нм (жёлтая полоса).

По материалам статей в журналах Applied Surface Science и AIP Conference proceedings (2022).

2. Разное


Возврат к списку

Яндекс.Метрика